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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管功率放大器无线局域网 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 124K |  |
| 描述 | ||
| NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications) | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 17 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7.8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC1967 | MITSUBISHI | RF POWER TRANSISTOR(NPN EPITAXAIL PLANAR TYPE) |
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| 2SC1968 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1968A | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on UHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC1969 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969A | MITSUBISHI | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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