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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
放大器晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 110K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA999-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA999L | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, PNP, Silicon, SC-43, 3 PIN |
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| 2SA999L-11-E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA999L-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA999L-T11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA999-T11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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