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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 163K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, SC-43, 3 PIN | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-43 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA847A-11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA847A-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA847A-T11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA847A-T11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA850 | ETC | TRANSISTOR |
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| 2SA854 | ROHM | Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
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