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2SA1365-12-1F

更新时间： 2024-02-13 00:23:08

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		驱动开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	80K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

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2SA1365-12-1F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	HIGH CURRENT DRIVER	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1365-12-1F 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1365-12-1G	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236	获取价格
2SA1365AE	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SA1365AF	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SA1365AG	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SA1365G	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SA1365-T12-1E	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236	获取价格

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