5秒后页面跳转
VT200/T PDF预览

VT200/T

更新时间: 2024-01-15 20:43:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon,

VT200/T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:X-XUPM-D4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.8
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C最小击穿电压:250 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:X-XUPM-D4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VT200/T 数据手册

 浏览型号VT200/T的Datasheet PDF文件第2页 

与VT200/T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VT-200-F ETC Quartz Crystal Units for Watches

获取价格

VT2045BP VISHAY Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

获取价格

VT2045BP-M3/4W VISHAY Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

获取价格

VT2045C VISHAY Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

获取价格

VT2045C_11 VISHAY Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

获取价格

VT2045CBP VISHAY Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

获取价格