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2N7225JANTXV

更新时间: 2024-01-02 18:26:10
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 950K
描述
N-CHANNEL MOSFET

2N7225JANTXV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.62
雪崩能效等级(Eas):500 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):27.4 A最大漏源导通电阻:0.105 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:R-MSFM-P3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7225JANTXV 数据手册

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