2N6798U

更新时间： 2024-01-24 15:41:31

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美高森美 - MICROSEMI		/
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描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N6798U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CERAMIC, LCC-18
针数：	18	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.42 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管元件材料：	SILICON

2N6798U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/557

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6798 2N6798U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

200

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

5.5

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

3.5

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

0.4 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 3.5A

TO-205AF

(formerly TO-39)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

200

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

U – 18 LCC

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 160V

V_GS= 0V, V_DS= 160V, T_j= +125°C

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 3.5A pulsed

V_GS= 10V, I_D= 5.5A pulsed

T_j= +125°C

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.4

0.42

V_GS= 10V, I_D= 3.5A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

0.75

1.4

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 8.0A pulsed

Vdc

T4-LDS-0049 Rev. 1 (072807)

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