2N5039

更新时间： 2024-02-15 08:02:21

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5039 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	75 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N5039 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 439

Devices

Qualified Level

JAN

2N5038

2N5039

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5038 2N5039 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

150

125

7.0

5.0

I_C

140

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_op_,T

stg

TO-3*

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

1.25

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 800 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

Vdc

2N5038

2N5039

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 25 mAdc

7.0

V_(BR)

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

V_CE= 125 Vdc

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 70 Vdc

V_CE= 55 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 100 Vdc

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 85 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CEO

I_EBO

I_CEX

1.0

mAdc

5.0

2N5038

2N5039

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

下载PDF

与2N5039相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5039E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P	获取价格
2N5040	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-222AB	获取价格
2N5041	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-222AB	获取价格
2N5042	NJSEMI	PNP HIGH CURRENT AMPLIFIER	获取价格
2N5042	ASI	Transistor	获取价格
2N5045	NJSEMI	GENERAL PURPOSE DUAL JFETS	获取价格