2N3791

更新时间： 2024-02-18 02:26:45

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
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描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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2N3791 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

2N3791 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 379

Devices

Qualified Level

JAN

2N3791

2N3792

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Symbol 2N3791

2N3792

Ratings

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

7.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽²⁾

5.0

⁰C

85.7

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.17

qJC

1) Derate linearly @ 28.57 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly @ 0.857 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3791

2N3792

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 70 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

5.0

mAdc

2N3791

2N3792

I_CES

5.0

2N3791

2N3792

I_CEX

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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