2N2907AB

更新时间： 2024-02-03 08:10:25

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2N2907AB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2N2907AB 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N2907A

Features

60 Volts

0.6 Amps

· Meets MIL-S-19500/291

· Collector-Base Voltage 60V

· Collector Current: 600 mAdc

· Fast Switching 345 nS

PNP

BIPOLAR

TRANSISTOR

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current--Continuous

Total Device Dissipation

@ T_A= 25^oC

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

-60

-5.0

-600

Vdc

mAdc

P_D

400

2.28

mW/^oC

Derate above 25^oC

Total Device Dissipation

P_D

@ T_C= 25^oC

1.8

10.3

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

^oC/W

^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

438

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

R_qJC

T_J

T_S

-65 to+200

^oC

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0276A 5/19/97

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