2N2905A

更新时间： 2024-01-24 20:31:18

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
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2页	512K
描述
PNP BIPOLAR TRANSISTOR

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2N2905A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.08
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	180 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

2N2905A 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-040

FAX: (617) 924-1235

2N2905A

Features

60 Volts

600 mAmps

· Meets MIL-S-19500/290

· Collector-Base Voltage 60V

· Collector Current: 600 mA

· Fast Switching 345 nS

PNP

BIPOLAR

TRANSISTOR

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

-60

-5.0

-600

Vdc

Collector Current--Continuous

Total Device Dissipation

@ T_A= 25^oC

mAdc

P_D

600

3.43

mW/^oC

Derate above 25^oC

Total Device Dissipation

P_D

@ T_C= 25^oC

3.0

17.2

mW/^oC

Derate above 25^oC

^oC

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Ambient

T_J

T_S

-65 to + 200

292

^oC/W

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction to Case

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0278A 5/19/97

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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