2N2605

更新时间： 2024-02-23 04:02:52

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
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2页	59K
描述
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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2N2605 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2605 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 354

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N2604

2N2605

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N2604 2N2605 Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CBO

6.0

Vdc

V_CEO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

mW/⁰C

⁰C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

400

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/mW

TO-46*

(TO-206AB)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 2.28 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

0.437

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

Vdc

I_C= 10 mAdc

2N2604

2N2605

V_(BR)CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Emitter-Base Breakdown Current

I_E= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Vdc

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

6.0

hAdc

2.0

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

I_CES

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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