2N2221A

更新时间： 2024-02-23 13:38:22

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
9页	298K
描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

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2N2221A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2221A 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N2221A

Features

SWITCHING

TRANSISTOR

JAN, JANTX, JANTXV

Meets MIL 19500 /255

Collector - Base Voltage 75 V

Collector - Current 800 mA

High Speed, Medium Current Bipolar Transistor

SMALL SIGNAL

BIPOLAR

NPN SILICON

TO-18

COLLECTOR

BASE

EMITTER

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Vdc

mAdc

mW/°C

WATTS

mW/°C

°C

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current -- Continuous

Total Device Dissipation @ T_A= 25 °C

Derate above 25 °C

Total Device Dissipation @ T_C= 25 °C

Derate above 25 °C

800

500

2.85

1.8

10.3

P_D

Operating Junction&Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 65 to + 200

Thermal Characteristics

CHARACTERISTIC

SYMBOL

Rq JA

MAX

350

UNIT

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

MSCO328A 01-29-98

DSW2N2221A < - > ( 33807)

12 3 4 5 6 7...9

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