2N2218A

更新时间： 2024-02-24 03:15:47

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
9页	238K
描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

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2N2218A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N2218A 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N2218A

Features

SWITCHING

TRANSISTOR

JAN, JANTX, JANTXV

Meets MIL 19500 /251

Collector - Base Voltage 75V

Collector - Current 800 mA

Medium Current, Bipolar Transistor

Available in TO-5

SMALL SIGNAL

BIPOLAR

NPN SILICON

TO-39

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

Vdc

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

Total Device Dissipation @ T_A= 25 °C

Derate above 25 °C

Total Device Dissipation @ T_C= 25 °C

Derate above 25 °C

Operating Junction&Storage Temperature Range

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

800

0.8

Vdc

mAdc

WATTS

mW/°C

WATTS

mW/°C

°C

P_D

4.6

3.0

17.0

- 55 to +200

P_D

T_J, T_stg

Thermal Characteristics

CHARACTERISTIC

SYMBOL

Rq JA

Rq JC

MAX

217

UNIT

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

MSCO933A 10-14-98

DSW2N2218A <-> (34724)

12 3 4 5 6 7...9

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