2N1893

更新时间： 2024-02-27 15:43:17

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管双极型晶体管开关
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2页	68K
描述
NPN BIPOLAR TRANSISTOR

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2N1893 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N1893 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N1893

Features

120 Volts

0.5 Amps

· Meets MIL-S-19500/182

· Collector-Base Voltage 120

· Collector Current: 0.5 mA

· Fast Switching 30 nS

NPN

BIPOLAR

TRANSISTOR

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CER

V_CBO

V_EBO

I_C

100

120

7.0

0.5

0.8

4.57

3.0

17.2

-55 to

+200

-55 to

+200

219

Vdc

Adc

Collector Current - Continuous

Total Device Dissipation @ T_A= 25^oC

Derate above 25^oC

P_D

Watt

mW/^oC

Total Device Dissipation @ T_C= 25^oC

P_D

T_J

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

Operating Temperature Range

^oC

Storage Temperature Range

T_S

^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

^oC/W

R_qJA

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0271A 5/19/97

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