是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-8, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.7 |
最大集电极电流 (IC): | 3 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-8 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1.2 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N1483A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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2N1483E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor |
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2N1484 | NJSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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2N1484 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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2N1484A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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2N1485 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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