2N1480

更新时间： 2024-01-15 15:27:58

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N1480 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.8
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N1480 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 207

Devices

Qualified Level

2N1479

2N1480

2N1481

2N1482

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N1479 2N1480

Symbol 2N1481 2N1482 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

1.5

1.0

Base-Current

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

I_B

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

TO-5*

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 50 mAdc

Vdc

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_EB= 1.5 Vdc, I_C= 0.25 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30 Vdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 12 Vdc

100

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

V_(BR)

CEX

5.0

mAdc

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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