2N1132

更新时间： 2024-01-09 17:03:44

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

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2N1132 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2N1132 数据手册

TECHNICAL DATA

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 177

Devices

Qualified Level

2N1131

2N1132

JAN

2N1131L

2N1132L

JANTX

TO-39*

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

All Units

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

600

Vdc

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

0.6

2.0

2N1131, 2N1132

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

TO-5*

T_op_,T

1) Derate linearly 3.4 mW/⁰C for T_A³ +25⁰C

2) Derate linearly 11.4 mW/⁰C for T_C³ +25⁰C

2N1311L, 2N1312L

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc, R_BE£ 10 ohms

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

Vdc

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

I_EBO

mAdc

100

I_CER

I_CBO

mAdc

V_CB= 30 Vdc

1.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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