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1N5550USE3

更新时间: 2024-02-16 10:02:33
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 197K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2

1N5550USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:2 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

1N5550USE3 数据手册

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