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150C60B

更新时间: 2024-01-14 07:12:15
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Silicon Controlled Rectifier

150C60B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.15
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:150 mAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:235 A重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

150C60B 数据手册

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