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1.2KE60C

更新时间: 2024-02-05 21:37:45
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 224K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

1.2KE60C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大击穿电压:81.5 V最小击穿电压:66.7 V
击穿电压标称值:74 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:107 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1200 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1.2KE60C 数据手册

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