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1.2KE6.0CE3

更新时间: 2024-01-31 18:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 143K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

1.2KE6.0CE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1200 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:6 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1.2KE6.0CE3 数据手册

  

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