5秒后页面跳转
1.0KE150C PDF预览

1.0KE150C

更新时间: 2024-02-14 12:50:05
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

1.0KE150C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大击穿电压:204 V最小击穿电压:167 V
击穿电压标称值:185 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:268 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e4
最大非重复峰值反向功率耗散:1000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:150 V最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:SILVER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1.0KE150C 数据手册

 浏览型号1.0KE150C的Datasheet PDF文件第2页 

与1.0KE150C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1.0KE150CA MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格

1.0KE15C MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格

1.0KE15CA MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

获取价格

1.0KE16 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 16V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

获取价格

1.0KE160 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格

1.0KE160A MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

获取价格