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08010GOCE3

更新时间: 2024-01-10 07:36:41
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 182K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

08010GOCE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.66
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流:125 A重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

08010GOCE3 数据手册

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