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07110GOA

更新时间： 2024-01-16 12:46:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	187K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

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07110GOA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	TO-94, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.66	标称电路换相断开时间：	100 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	200 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	10 mA
通态非重复峰值电流：	1600 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	70000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	110 A
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
07110GOBE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI	获取价格
07110GOC	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI	获取价格
07110GOCE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI	获取价格
07110GOD	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI	获取价格
07110GODE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI	获取价格
0711218	PHOENIX	Modular Terminal Block	获取价格