生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-94 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.71 |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 100 µs |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 100 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 200 mA | JEDEC-95代码: | TO-209AC |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 110 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10000 µA |
断态重复峰值电压: | 200 V | 重复峰值反向电压: | 200 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
07102GOC | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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07102GOD | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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0710303 | PHOENIX | Modular Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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0710316 | PHOENIX | Modular Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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07103GOB | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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07103GOC | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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