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07102GOB

更新时间: 2024-01-19 13:47:33
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 127K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN

07102GOB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:110 A重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

07102GOB 数据手册

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