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07102GOA

更新时间: 2024-01-29 00:42:05
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

07102GOA 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.74
标称电路换相断开时间:100 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:110 A
重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

07102GOA 数据手册

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