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05206GOBE3

更新时间： 2024-01-10 18:10:18

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	181K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

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05206GOBE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	100 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流：	86 A	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

05206GOBE3 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
05206GOC	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
05206GOCE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN	获取价格
05206GOD	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
05206GODE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN	获取价格
0520890419	MOLEX	1.00mm (.039") Pitch FFC/FPC Connector, Through-Hole, Right Angle, Low Profile,ZIF, Top Co	获取价格
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