5秒后页面跳转
05204GOBE3 PDF预览

05204GOBE3

更新时间: 2024-02-07 09:57:29
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 181K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

05204GOBE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.69
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:86 A
重复峰值反向电压:400 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

05204GOBE3 数据手册

 浏览型号05204GOBE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号05204GOBE3的Datasheet PDF文件第3页 

与05204GOBE3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
05204GOC MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier

获取价格

05204GOCE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

获取价格

05204GOD MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier

获取价格

05204GODE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

获取价格

05205G0A MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier

获取价格

05205GOA MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier

获取价格