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05112G0F

更新时间: 2024-02-08 11:47:01
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美高森美 - MICROSEMI 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

05112G0F 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75标称电路换相断开时间:100 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:1200 A
最大通态电压:2.5 V最大通态电流:80000 A
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
断态重复峰值电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

05112G0F 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
05112GOF MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC

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