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05108G0F

更新时间： 2024-01-03 13:35:48

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

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05108G0F 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	标称电路换相断开时间：	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	200 mA
最大漏电流：	6 mA	通态非重复峰值电流：	1200 A
最大通态电压：	2.5 V	最大通态电流：	80000 A
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

05108G0F 数据手册

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与05108G0F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
05108GOF	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,	获取价格
05108GOFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,	获取价格
0510900200	MOLEX	2.00mm (.079") Pitch Mi II™ System Wire-to-Bo	获取价格
0510900300	MOLEX	2.00mm (.079") Pitch Mi II™ System Wire-to-Bo	获取价格
0510900400	MOLEX	2.00mm (.079") Pitch Mi II™ System Wire-to-Bo	获取价格
0510900500	MOLEX	2.00mm (.079") Pitch Mi II™ System Wire-to-Bo	获取价格

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