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050R12GOFE3

更新时间: 2024-01-20 16:38:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 161K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

050R12GOFE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mA最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-208ACJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:80 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

050R12GOFE3 数据手册

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