Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> 0405SC-2200M

0405SC-2200M

更新时间： 2024-01-30 17:59:57

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	229K
描述
2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT

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0405SC-2200M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	GATE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	250 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON CARBIDE	Base Number Matches：	1

0405SC-2200M 数据手册

0405SC-2200M Rev A1

0405SC-2200M

2200Watts, 125 Volts, Class AB

406 to 450 MHz

Silicon Carbide SIT

PRELIMINARY SPECIFICATION

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55TW-FET

(Common Gate)

The 0405SC-2200M is a Common Gate N-Channel DEPLETION MODE

Class AB SILICON CARBIDE (SiC) STATIC INDUCTION

TRANSISTOR (SIT) capable of providing 2200 Watts of RF Peak power from

406 to 450 MHz. The transistor is designed for use in High Power Amplifiers

supporting applications such as UHF Weather Radar and Long Range Tracking

Radar. The device is an addition to the series of High Power Silicon

Carbide Transistors from Microsemi RF IS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Voltage and Current

Drain-Source (V_DSS

Gate-Source (V_GS)

)

250V

-1V

Temperatures

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

-65 to +150°C

+250°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C

SYMBOL CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNITS

I_dss

I_gss

θ_JC

Drain-Source Leakage Current V_GS= -20V, V_DG= 125V

750

µA

Gate-Source Leakage Current

Thermal Resistance

V_GS= -20V, V_DS= 0V

0.15

ºC/W

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C, Vdd = 125V, I_dq(ave)= 120 mA, Freq = 406, 425, 450 MHz,

G_PG

P_in

Common Gate Power Gain

Input Power

P_out= 2200 W, Pulsed

7.0

7.5

390

Pulse Width = 300us, DF = 6%

F = 450 MHz, P_out=2200W

F = 420 MHz, P_out= 2200W

440

10:1

10.0

η_d

Drain Efficiency

Load Mismatch

Po +1dB

Vgs

Power Output – Higher Drive F = 450 MHz, Pin = 490 W

Gate source Voltage Set for Idq(ave) = 120mA

2450

3.0

Volts

Rev A1

May 2010

Microsemi RFIS Inc. reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

Visit our web site at www.microsemi..com or contact our factory direct.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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0407002A	LITTELFUSE	407A系列AECQ认证保险丝经过专门测试，以满足紧凑型汽车电子应用二次回路保护的需求。	获取价格

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