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04012GOFE3

更新时间: 2024-01-31 22:12:11
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65

04012GOFE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.83
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.1 mA
JEDEC-95代码:TO-65JESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:62.8 A
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

04012GOFE3 数据手册

  

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