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04012GOF

更新时间: 2024-01-13 22:24:33
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65

04012GOF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.91
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.1 mA
JEDEC-95代码:TO-65JESD-30 代码:O-MUPM-D2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:62.8 A重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

04012GOF 数据手册

  

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