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03904GPFE3

更新时间： 2024-02-28 08:33:31

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美高森美 - MICROSEMI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	79K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

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03904GPFE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-65, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流：	63 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

03904GPFE3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

SILICON CONTROLLED RECTIFIER / INVERTER

• dv / dt – 200 V / usec

• Blocking voltages up to 600V

• Primarily for forced commutated

applications

• 1000 Amperes surge current

• Low forward on-state voltage

DEVICES

LEVELS

03902GPF

03904GPF

03906GPF

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

03902GPF

03904GPF

03906GPF

03902GPF

03904GPF

03906GPF

03902GPF

03904GPF

03906GPF

200

400

600

200

400

Repetitive Forward Voltage

V_DRM

Repetitive Reverse Voltage

V_RRM

600

300 min

500 min

700 min

Reverse Transient Blocking Voltage

V_RSM

Thermal Resistance, Junction to Case

Typical Thermal Resistance (greased)

0.35

0.20

°C/W

R_θJC

R_θCS

inch

pounds

Mounting Torque

25 - 30

TO-208A (TO-65)

Weight

0.56

°C

Operating Junction Temperature Range

T_J

-65°C to 125°C

-65°C to 155°C

Storage Temperature Range

T_stg

NOTE:

To specify dv/dt other than 200V/usec., enter appropriate letter in place of “G”:

K 300V/μsec., H 500V/μsec

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

RMS On-State Current

I_T(RMS)

T_C= 105°C, R_θJC= 0.35° C/W

Average On-State Current

T_C= 105°C, R_θJC= 0.35° C/W

Peak on-state Voltage

I_T(AV)

V_TM

I_H

1.8

500

_TM= 120A

Holding Current

Peak One Cycle Surge Current

T_C= 105°C, 60Hz

I_TSM

1000

I²t capability for Fusing

t = 8.3ms

I²t

4150

A²S

T4-LDS-0166 Rev. 1 (100696)

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与03904GPFE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
03904GRF	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier/Inverter	获取价格
03904GRFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,	获取价格
03904GUF	ETC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
03904GUFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-65	获取价格
03904HPF	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63000mA I(T), 400V V(DRM)	获取价格
03904HRF	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,	获取价格