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03512GF

更新时间: 2024-01-23 06:50:50
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美高森美 - MICROSEMI 可控硅
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
Silicon Controlled Rectifier / Inverter

03512GF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-65
包装说明:TO-65, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.1标称电路换相断开时间:30 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:2 V
最大维持电流:500 mAJEDEC-95代码:TO-208AC
JESD-30 代码:O-MUPM-D2JESD-609代码:e0
最大漏电流:20 mA通态非重复峰值电流:800 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电压:2.8 V最大通态电流:40000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:63 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

03512GF 数据手册

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