是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-65 |
包装说明: | TO-65, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.1 | 标称电路换相断开时间: | 30 µs |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 300 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 150 mA | 最大直流栅极触发电压: | 2 V |
最大维持电流: | 500 mA | JEDEC-95代码: | TO-208AC |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 20 mA | 通态非重复峰值电流: | 800 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大通态电压: | 2.8 V | 最大通态电流: | 40000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 63 A |
断态重复峰值电压: | 1200 V | 重复峰值反向电压: | 1200 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
03512GWF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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03512GWFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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03512GXF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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03512GXFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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03512HWF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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03512HWFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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