是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-65 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.11 | Is Samacsys: | N |
标称电路换相断开时间: | 30 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
最大直流栅极触发电压: | 2 V | 最大维持电流: | 500 mA |
JEDEC-95代码: | TO-208AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 20 mA |
通态非重复峰值电流: | 800 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大通态电压: | 2.8 V |
最大通态电流: | 40000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 63 A | 断态重复峰值电压: | 800 V |
重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
03508GWF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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03508GWFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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03508GXF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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03508HWF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Eleme |
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03508HWFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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03508JWF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Eleme |
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