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Datasheet > 存储 > OTP ROM> 27C256-15/SO
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27C256-15/SO

更新时间： 2024-02-13 05:20:32
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 92K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

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27C256-15/SO 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：150 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
内存密度：262144 bit内存宽度：8
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
电源：5 V编程电压：12.5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.0001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

27C256-15/SO 数据手册

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Obsolete Device  
27C256  
256K (32K x 8) CMOS EPROM  
FEATURES  
PACKAGE TYPES  
• High speed performance  
PLCC  
- 90 ns access time available  
• CMOS Technology for low power consumption  
- 20 mA Active current  
5
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
A8  
A9  
6
- 100 µA Standby current  
7
A11  
NC  
OE  
A10  
CE  
O7  
O6  
8
• Factory programming available  
• Auto-insertion-compatible plastic packages  
• Auto ID aids automated programming  
• Separate chip enable and output enable controls  
• High speed “express” programming algorithm  
• Organized 32K x 8: JEDEC standard pinouts  
- 28-pin Dual-in-line package  
9
10  
11  
12  
13  
O0  
DIP/SOIC  
VPP  
A12  
A7  
- 32-pin PLCC Package  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
A14  
A13  
A8  
2
- 28-pin SOIC package  
3
A6  
4
- Tape and reel  
A5  
5
A9  
• Data Retention > 200 years  
A4  
6
A11  
OE  
A10  
CE  
O7  
A3  
7
• Available for the following temperature ranges:  
A2  
8
A1  
9
- Commercial:  
- Industrial:  
0°C to +70°C  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
O0  
O1  
O2  
VSS  
O6  
O5  
- Automotive:  
O4  
O3  
DESCRIPTION  
The Microchip Technology Inc. 27C256 is a CMOS  
256K bit electrically Programmable Read Only Memory  
(EPROM). The device is organized as 32K words by 8  
bits (32K bytes). Accessing individual bytes from an  
address transition or from power-up (chip enable pin  
going low) is accomplished in less than 90 ns. This very  
high speed device allows the most sophisticated micro-  
processors to run at full speed without the need for  
WAIT states. CMOS design and processing enables  
this part to be used in systems where reduced power  
consumption and reliability are requirements.  
A complete family of packages is offered to provide the  
most flexibility in applications. For surface mount appli-  
cations, PLCC, or SOIC packaging is available. Tape  
and reel packaging is also available for PLCC or SOIC  
packages.  
2004 Microchip Technology Inc.  
DS11001N-page 1  
1234567...10

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