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25LC1024-I/SMG

更新时间： 2024-01-18 03:05:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
34页	692K
描述
128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8

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25LC1024-I/SMG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.5
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	5.28 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.03 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	5.21 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE

25LC1024-I/SMG 数据手册

25LC1024

1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

25LC1024

2.5-5.5V

256 Byte

I,E

P, SM, MF

Features:

Description:

• 20 MHz max. Clock Speed

• Byte and Page-level Write Operations:

- 256 byte page

The Microchip Technology Inc. 25LC1024 is a 1024

Kbit serial EEPROM memory with byte-level and page-

level serial EEPROM functions. It also features Page,

Sector and Chip erase functions typically associated

with Flash-based products. These functions are not

required for byte or page write operations. The memory

is accessed via a simple Serial Peripheral Interface

(SPI) compatible serial bus. The bus signals required

are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and

data out (SO) lines. Access to the device is controlled

by a Chip Select (CS) input.

- 6 ms max. write cycle time

- No page or sector erase required

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. Write current: 5 mA at 5.5V, 20 MHz

- Read current: 7 mA at 5.5V, 20 MHz

- Standby current: 1A at 2.5V

(Deep power-down)

• Electronic Signature for Device ID

• Self-Timed Erase and Write Cycles:

- Page Erase (6 ms max.)

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

- Sector Erase (10 ms max.)

- Chip Erase (10 ms max.)

• Sector Write Protection (32K byte/sector):

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

The 25LC1024 is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIJ, and advanced 8-lead

DFN package. All devices are Pb-free.

• Built-In Write Protection:

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• High Reliability:

Package Types (not to scale)

- Endurance: 1M erase/write cycles

DFN

PDIP/SOIJ

(P, SM)

- Data Retention: >200 years

- ESD Protection: >4000V

(MF)

VCC

HOLD

SCK

VCC

• Temperature Ranges Supported:

HOLD

SCK

- Industrial (I):

- Automotive (E):

-40C to +85C

-40°C to +125°C

VSS

• Pb-Free and RoHS Compliant

 2010 Microchip Technology Inc.

DS22064D-page 1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
25LC1024-I/WF16K	MICROCHIP	1024k, 128K X 8, 2.5V SER EE IND, WAFER on FR, -40C to +85C, Wafer-Frame, WFRAME	获取价格
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