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25AA1024T-I/MFG

更新时间： 2024-02-21 04:19:57

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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34页	537K
描述
128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8

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25AA1024T-I/MFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	5.28 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.03 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	5.21 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

25AA1024T-I/MFG 数据手册

25AA1024

1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

25AA1024

1.8-5.5V

256 Byte

P, SM, MF

Features:

Description:

• 20 MHz max. Clock Speed

• Byte and Page-level Write Operations:

- 256 byte page

The Microchip Technology Inc. 25AA1024 is a 1024

Kbit serial EEPROM memory with byte-level and page-

level serial EEPROM functions. It also features Page,

Sector and Chip erase functions typically associated

with Flash-based products. These functions are not

required for byte or page write operations. The memory

is accessed via a simple Serial Peripheral Interface

(SPI) compatible serial bus. The bus signals required

are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and

data out (SO) lines. Access to the device is controlled

by a Chip Select (CS) input.

- 6 ms max. write cycle time

- No page or sector erase required

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. Write current: 5 mA at 5.5V, 20 MHz

- Read current: 7 mA at 5.5V, 20 MHz

- Standby current: 1A at 2.5V

(Deep power-down)

• Electronic Signature for Device ID

• Self-Timed Erase and Write Cycles:

- Page Erase (6 ms max.)

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

- Sector Erase (10 ms max.)

- Chip Erase (10 ms max.)

• Sector Write Protection (32K byte/sector):

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

The 25AA1024 is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIJ, and advanced 8-lead

DFN package. All devices are Pb-free.

• Built-In Write Protection:

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• High Reliability:

Package Types (not to scale)

- Endurance: 1M erase/write cycles

- Data Retention: >200 years

- ESD Protection: 4000V

DFN

PDIP/SOIJ

(P, SM)

(MF)

VCC

HOLD

SCK

• Temperature Ranges Supported:

- Industrial (I): -40°C to +85°C

• Pb-Free and RoHS Compliant

VCC

HOLD

SCK

VSS

Pin Function Table

Name

Function

Chip Select Input

Serial Data Output

Write-Protect

Ground

VSS

Serial Data Input

Serial Clock Input

Hold Input

SCK

HOLD

VCC

Supply Voltage

 2010 Microchip Technology Inc.

DS21836G-page 1

12 3 4 5 6 7...34

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与25AA1024T-I/MFG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
25AA1024TI/P	MICROCHIP	1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	获取价格
25AA1024T-I/P	MICROCHIP	1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA1024TI/SM	MICROCHIP	1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8	获取价格
25AA1024T-I/SM	MICROCHIP	1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA1024T-I/SMG	MICROCHIP	128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8	获取价格
25AA128	MICROCHIP	128K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格

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