2SA1036-P-T

更新时间： 2024-01-28 11:53:48

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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3页	249K
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Transistor

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2SA1036-P-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1036-P-T 数据手册

M C C

2SA1036-P

2SA1036-Q

2SA1036-R

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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Micro Commercial Components

Features

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

Large I_{C. ICMax.= -0.5 A}

Low V_{CE(sat) Ideal for low-voltage operation.}

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.5

Unit

Collector Current

P_D

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min TYPE Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-20Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-32

-40

-5.0

- 1

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-4.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

I_EBO

- 1

DC Current Gain

390

-0.4

(I_C=-10mAdc, V_CE=-3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

ꢀ_ꢀ

200

MHZ

(VCE=-5Vdc,IC=-20mAdc,f=100MHZ)

C_ob

(VCB=-10Vdc,IE=0,f=1MHZ)

.035

.900

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

120-270

Range

82-180

180-390

.037

.950

Marking

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

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与2SA1036-P-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1036-P-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
2SA1036Q	JCST	Transistor	获取价格
2SA1036-Q	MCC	PNP Silicon Epitaxial Transistors	获取价格
2SA1036-Q-T	MCC	Transistor	获取价格
2SA1036-R	MCC	PNP Silicon Epitaxial Transistors	获取价格
2SA1036-R-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC	获取价格

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