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89C1632RPQE-20

更新时间： 2024-01-31 15:29:08

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	200K
描述
16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM

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89C1632RPQE-20 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	GQFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	长度：	37.9476 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	GQFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, GUARD RING	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	6.1976 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	37.9476 mm	Base Number Matches：	1

89C1632RPQE-20 数据手册

89C1632

16 Megabit (512K x 32-Bit)

MCM SRAM

16 Megabit (512k x 32-bit) SRAM MCM

CS 1-4

Address

OE, WE

Power

Ground

4Mb SRAM

MCM

I/O 0-7

I/O 8-15

I/O 16-23

I/O 24-31

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• Four 512k x 8 SRAM architecture

• R^AD-PAK® technology hardens against natural space radia-

tion technology

Maxwell Technologies’ 89C1632 high-performance 16 Mega-

bit Multi-Chip Module (MCM) Static Random Access Memory

features a greater than 100 krad (Si) total dose tolerance,

depending upon space mission. The four 4-Megabit SRAM die

and bypass capacitors are incorporated into a high-reliable

hermetic quad flat-pack ceramic package. With high-perfor-

mance silicon-gate CMOS technology, the 89C1632 reduces

power consumption and eliminates the need for external

clocks or timing strobes. It is equipped with output enable

(OE) and four byte enable (CS1 - CS4) inputs to allow greater

system flexibility. When OE input is high, the output is forced

to high impedance.

• Total dose hardness:

- > 100 krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

- SEL > 101MeV-cm²/mg

- SEU threshold = 3 MeV-cm²/mg

- SEU saturated cross section: 6E-9 cm²/bit

• Package: 68-pin quad flat package

• Fast access time: 20, 25 and 30 ns

• Completely static memory - no clock or timing strobe

required

• Internal bypass capacitor

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. In a GEO orbit, R^AD-PAK provides true greater than 100

krad (Si) total radiation dose tolerance, dependent upon space

mission. It eliminates the need for box shielding while provid-

ing the required radiation shielding for a lifetime in orbit or a

space mission. This product is available with screening up to

Maxwell Technologies self-defined Class K.

• High-speed silicon-gate CMOS technology

• 5V or 3V ± 10% power supply

• Equal address and chip enable access times

• Three-state outputs

• All inputs and outputs are TTL compatible

01.10.05 Rev 3

All data sheets are subject to change without notice

(619) 503-3300 - Fax: (619) 503-3301 - www.maxwell.com

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