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力特 - LITTELFUSE | 栅晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 218K | |
描述 | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor, 316A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel, |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.73 |
最大集电极电流 (IC): | 316 A | 集电极-发射极最大电压: | 4500 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | O-CEDB-N3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 4000 ns | 标称接通时间 (ton): | 2400 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
T0240NB45E | LITTELFUSE | 作为压装IGBT技术的开创者,我们能够提供多种一流的器件,额定电压分别为1.7kV(900 |
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T0247 | INFINEON | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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T0250NA52E | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN |
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T0258HF65G | LITTELFUSE | 作为压装IGBT技术的开创者,我们能够提供多种一流的器件,额定电压分别为1.7kV(900 |
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T0-2-8293/EZ | ETC | CAM SWITCH ON-OFF |
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T0285NC33E | LITTELFUSE | 作为压装IGBT技术的开创者,我们能够提供多种一流的器件,额定电压分别为1.7kV(900 |
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