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T0240NA45E

更新时间: 2024-01-13 13:44:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 218K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 316A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

T0240NA45E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):316 A集电极-发射极最大电压:4500 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:O-CEDB-N3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):4000 ns标称接通时间 (ton):2400 ns
Base Number Matches:1

T0240NA45E 数据手册

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Date:- 1 Dec, 2005  
Data Sheet Issue:- 3  
WESTCODE  
IXYS  
An  
Company  
Provisional Data  
Insulated Gate Bi-Polar Transistor  
Type T0240NA45E  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VCES  
Collector – emitter voltage  
4500  
2800  
±20  
V
V
V
VDC link  
VGES  
Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.  
Peak gate – emitter voltage  
MAXIMUM  
LIMITS  
RATINGS  
UNITS  
IC(DC)  
ICRM  
IECO  
PMAX  
Tj op  
Tstg  
Continuous DC collector current, IGBT (Note 2).  
Repetitive peak collector current, tp=1ms, IGBT.  
Maximum reverse emitter current, tp=1ms, (note 4).  
Maximum power dissipation, IGBT (note 3).  
Operating temperature range.  
316  
A
A
400  
240  
A
2380  
W
°C  
°C  
-40 to +125  
-40 to +125  
Storage temperature range.  
Notes: -  
1) Unless otherwise indicated Tj = 125ºC.  
2) Tsink = 55°C, double side cooled.  
3) Tsink = 25°C, double side cooled.  
4) The Use of an anti-parallel diode is recommended.  
Provisional Data Sheet T0240NA45E Issue 3  
Page 1 of 7  
December, 2005  

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