2N5401

更新时间： 2024-01-18 01:39:32

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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描述
General purpose amplifier

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2N5401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.64	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2N5401 数据手册

2N5401

PNP Silicon Transistor

Description

• General purpose amplifier

PIN Connection

• High voltage application

Features

• High collector breakdown voltage :

V_CBO= -160V, V_CEO= -160V

• Low collector saturation voltage :

_CE(sat)=-0.5V(MAX.)

TO-92

• Complementary pair with 2N5551

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

2N5401

TO-92

^2N5401□

□ : Year & Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-160

-5

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-600

625

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

KSD-T0A076-000

12 3 4 5

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