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R0809LS10B

更新时间： 2024-01-04 17:33:52
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 259K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1691A I(T)RMS, 1260000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A336, 3 PIN

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R0809LS10B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.82
标称电路换相断开时间：12 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3最大漏电流：70 mA
通态非重复峰值电流：8000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：1260000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1691 A
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R0809LS10B 数据手册

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Date:- 30 Mar, 2001  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Distributed Gate Thyristor  
Type R0809LS10x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
1000  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
V
V
V
V
1000  
1000  
1100  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
MAXIMUM  
LIMITS  
809  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
A
504  
271  
A
1691  
A
1260  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
8000  
A
≤
8800  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
320×103  
387×103  
1000  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
≤
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type R0809LS10x Issue 1  
Page 1 of 12  
March, 2001  
1234567...12

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与R0809LS10B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R0809LS10D IXYS Silicon Controlled Rectifier, 1691A I(T)RMS, 1260000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1

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R0830LC12C LITTELFUSE Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4

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R0830LC12F LITTELFUSE Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4

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R0830LC14F LITTELFUSE Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4

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R0830LS12E IXYS Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1318000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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R0830LS12G IXYS Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1318000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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