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R0577YS10D

更新时间： 2024-01-19 17:43:06
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 235K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0577YS10D 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：101A335, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.69
标称电路换相断开时间：20 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3最大漏电流：60 mA
通态非重复峰值电流：6000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：712000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1169 A断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R0577YS10D 数据手册

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Date:- 21 Jun, 2001  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Distributed Gate Thyristor  
Types R0577YS10x to R0577YS12x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1200  
V
V
V
V
1000-1200  
1000-1200  
1100-1300  
MAXIMUM  
LIMITS  
577  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
A
379  
216  
A
1169  
712  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
6.0  
kA  
kA  
kA2s  
kA2s  
A/µs  
A/µs  
V
≤
6.6  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
180  
I2t  
≤
218  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
1000  
1500  
5
diT/dt  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
-40 to +125  
-40 to +150  
V
THS  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types R0577YS10x to R0577YS12x Issue 1  
Page 1 of 12  
June, 2001  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R0577YS10E LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1

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R0577YS12D LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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