5秒后页面跳转
N029RH04LOO PDF预览

N029RH04LOO

更新时间: 2024-02-09 11:08:38
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 48000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-48

N029RH04LOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:160 mA
JEDEC-95代码:TO-48JESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:5 mA通态非重复峰值电流:500 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:48000 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:47.1 A
重复峰值关态漏电流最大值:5000 µA断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

N029RH04LOO 数据手册

 浏览型号N029RH04LOO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N029RH04LOO的Datasheet PDF文件第3页 

与N029RH04LOO相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N029RH06 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 30000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele

获取价格

N029RH08 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 30000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele

获取价格

N029RH10GOO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

获取价格

N029RH10HOO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

获取价格

N029RH10JOO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

获取价格

N029RH10LOO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 47.1A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

获取价格