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N023RH02LOO

更新时间: 2024-01-18 18:43:24
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 36.11A I(T)RMS, 48000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-48

N023RH02LOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:160 mA
JEDEC-95代码:TO-48JESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:5 mA通态非重复峰值电流:300 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:48000 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:36.11 A
重复峰值关态漏电流最大值:5000 µA断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

N023RH02LOO 数据手册

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