5秒后页面跳转
N0194WC120-160 PDF预览

N0194WC120-160

更新时间: 2024-01-22 07:08:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 469K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 392A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

N0194WC120-160 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:150 mA
JESD-30 代码:O-CXDB-X4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:392 A断态重复峰值电压:1600 V
重复峰值反向电压:1600 V表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

N0194WC120-160 数据手册

 浏览型号N0194WC120-160的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N0194WC120-160的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N0194WC120-160的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N0194WC120-160的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N0194WC120-160的Datasheet PDF文件第6页 

与N0194WC120-160相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N0194WC140 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 391A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element

获取价格

N0194WC160 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 391A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

获取价格

N01L0818L1AD-85I NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 128Kx8 bit

获取价格

N01L0818L1AN-85I NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 128Kx8 bit

获取价格

N01L083WC2A NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格

N01L083WC2AN NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格